NTJS3151P
TYPICAL PERFORMANCE CURVES (T J = 25 ° C unless otherwise noted)
1600
1400
1200
T J = 25 ° C
V GS = 0 V
4.5
4
3.5
QT
1000
800
C iss
3
2.5
2
Q1
Q2
600
1.5
400
200
0
0
2
C rss
4
6
8
10
C oss
12
1
0.5
0
0
2
4
6
I D = ? 3.3 A
T J = 25 ° C
8
10
GATE ? TO ? SOURCE OR DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 7. Capacitance Variation
10000
4
Q g , TOTAL GATE CHARGE (nC)
Figure 8. Gate ? to ? Source Voltage vs. Total
Gate Charge
t f
t d(off)
t r
3
V GS = 0 V
T J = 25 ° C
1000
t d(on)
V DD = ? 6.0 V
I D = ? 1.0 A
V GS = ? 4.5 V
2
1
100
1
10
100
0
0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8 0.9
R G , GATE RESISTANCE (OHMS)
Figure 9. Resistive Switching Time Variation
vs. Gate Resistance
http://onsemi.com
4
? V SD , SOURCE ? TO ? DRAIN VOLTAGE (VOLTS)
Figure 10. Diode Forward Voltage vs. Current
相关PDF资料
NTJS3157NT4G MOSFET N-CH 20V 3.2A SOT-363
NTJS4151PT1 MOSFET P-CH 20V 3.3A SOT-363
NTJS4160NT1G MOSFET N-CH 30V 1.8A SC88-6
NTJS4405NT4G MOSFET N-CH 25V 1A SOT-363
NTK3043NT5G MOSFET N-CH 20V 210MA SOT-723
NTK3134NT5G MOSFET N-CH 20V 750MA SOT-723
NTK3139PT5G MOSFET P-CH 20V 660MA SOT-723
NTK3142PT1G MOSFET P-CHAN 260MA 20V SOT-723
相关代理商/技术参数
NTJS3151PT2 功能描述:MOSFET 12V 3.3A P-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
NTJS3151PT2G 功能描述:MOSFET 12V 3.3A P-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
NTJS3157N 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Trench Power MOSFET 20 V, 4.0 A, Single N−Channel, SC−88
NTJS3157NT1 功能描述:MOSFET 20V 4A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
NTJS3157NT1G 功能描述:MOSFET 20V 4A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
NTJS3157NT2 功能描述:MOSFET 20V 4A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
NTJS3157NT2G 功能描述:MOSFET 20V 4A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
NTJS3157NT4 功能描述:MOSFET 20V 4A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube